南京沃天PC90D單晶硅差壓傳感器是一種具有可靠過載壓力保護功能的差壓傳感器，差壓敏感核心采用了高性能的硅壓阻式差壓芯片，利用全焊接密封結(jié)構(gòu)進行組裝，并在高真空下充灌硅油，不同材質(zhì)的測量膜片在隔離被測介質(zhì)與差壓芯片的同時，還能使傳感器對各種強腐蝕性介質(zhì)的壓差信號進行長期可靠測量。差壓傳感器通過外部恒流或恒壓供電激勵能將被測的壓差信號轉(zhuǎn)換成與之線性正比的毫伏電壓信號。

一、 原理

                                  圖1 硅傳感器的結(jié)構(gòu)圖       圖2 加壓以后效果

采用德國進口高穩(wěn)芯片

● 精度高

● 穩(wěn)定性好

● 耐靜壓

二、 結(jié)構(gòu)介紹

1 爆炸圖

2 基芯部件

三、優(yōu)點

1 過壓保護設(shè)計

如圖 所示，為克服單晶硅硅片抗過載能力不足的缺陷。該單向壓力過載保護差壓傳感器不僅能測出現(xiàn)場工況在額定壓力范圍內(nèi)的壓差值，而且在發(fā)生單向壓力過載的情況下還能有效地進行自我保護，避免了硅差壓傳感單向壓力過載而引起的損壞。

2 量程比可調(diào)性能

表一  PCM3051S-DP差壓變送器的量程比性能試驗

結(jié)論：抽3只，量程比設(shè)置為10:1和100:1，測試結(jié)果都能達(dá)到較高精度

3 壓力滯后性能

² 壓力滯后特性也稱回程誤差特性，俗稱回差，對于壓力、差壓變送器來說是一個較為重要的考核指標(biāo)。回差的大小直接影響到變送器的測量準(zhǔn)確性和長期漂移性能。

如圖4所示，這是一張典型的單晶硅誤差曲線和金屬電容誤差曲線的比較示意圖。從圖中可以看出，單晶硅原理傳感器的線性誤差曲線的回差極小，上行程和下行程幾乎重合，其回差基本可以忽略不計；而金屬電容式原理的線性誤差曲線的回差較大，上行程和下行程呈開口狀，直接影響到變送器的輸出精度。

                         圖4  誤差曲線例圖

4 靜壓特性

采用獨特的單晶硅芯片封裝工藝，封裝以后其內(nèi)腔和外腔達(dá)到壓力平衡。如圖5所示為單晶硅硅片的封裝示意圖，當(dāng)有工作靜壓加載到測量硅片的正負(fù)腔時，工作靜壓通過硅片外部的正腔硅油和硅片內(nèi)部的負(fù)腔硅油平衡加載到測量硅片上，并實現(xiàn)了相互抵消，從而使得測量硅片對工作靜壓的彎曲變形極小。這樣處理大幅提升了差壓變送器的靜壓影響性能。

5 性能指標(biāo)和可靠性

PCM3051S系列高穩(wěn)定性壓力、差壓變送器達(dá)到了國際先進水平，其主要的技術(shù)優(yōu)勢表現(xiàn)為：

⑴ 準(zhǔn)確度等級達(dá)到0.05級；

⑵ 微差壓變送器，可達(dá)0.075%FS的高測量精度，最大靜壓達(dá)16MPa，最小的測量差壓為-200Pa~200Pa；

⑶ 差壓變送器最高工作靜壓可達(dá)40MPa，單向過載壓力最高可達(dá)40MPa；

⑷ 壓力、差壓傳感器內(nèi)部集成的高靈敏度溫度傳感器，使得變送器溫度性能極佳，最優(yōu)為≤0.04 %FS/10K；

⑸ 實現(xiàn)了極寬的測量范圍 0-200Pa～60MPa，最高100:1的可調(diào)節(jié)量程比輸出；

⑹ 遠(yuǎn)傳變送器采用先進的超高溫專利技術(shù)，可應(yīng)用于 400℃超高溫測量場合，突破了遠(yuǎn)傳產(chǎn)品應(yīng)用和測量的瓶頸。

三、差壓變送器核心部件

                        液位法蘭變送器                     差壓遠(yuǎn)傳變送器